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          存儲器“漲”勢不停 中國有望填補產能缺口

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          存儲器“漲”勢不停 中國有望填補產能缺口

          發布日期:2017-09-04 00:00 來源:http://www.chavez360.com 點擊:

          【內蒙古鄂爾多斯電子有限公司主營SMD功率電感器、塑封繞線片式電感器、有機實芯電阻器等】全球存儲器市場風云變幻,中國作為終端產品消費大國,自然也免不了遭受影響。為此,國內存儲器相關企業動作頻頻,在外部供應不足的情況下,積極加大投資或釋放產能,以期填補供應鏈缺口,進一步擴大市場份額。

          前不久,紫光宣布投資300億美元在南京建設半導體產業基地,主要生產NAND FLASH、DRAM存儲芯片等。據了解,這個工廠建成后將是迄今為止中國規模最大的芯片制造廠,預計月產能將達10萬片。

          今年年初,中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片,此類芯片密度比DRAM內存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,且性能遠遠優于DRAM。由此可見,中芯國際對于存儲器市場早已勢在必得。

          作為消費電子產業核心元器件,存儲芯片受制于人并不是長久之計。市場上,存儲器產品的供不應求也為國產化提供了契機,企業應該抓住機遇實現自主化生產,從而擺脫進口的依賴,提升競爭實力。


          相關標簽:有機實芯電阻器

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